特写特讯!英伟RTX 50系GPU规格曝光:高端性能飞跃,中低端产品线缩水
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英伟RTX 50系GPU规格曝光:高端性能飞跃,中低端产品线缩水
北京,2024年6月14日 – 据外媒报道,英伟RTX 50系GPU的规格参数已初步曝光。总体来看,RTX 50系产品线将延续RTX 30系的架构,但在性能和功耗方面都有所提升。高端产品线性能飞跃,而中低端产品线则出现了一定程度的缩水。
高端产品线性能飞跃:
- RTX 5090 Ti:采用AD102-300核心,拥有18176个CUDA核心,预计性能将比RTX 3090 Ti提升50%以上。
- RTX 5090:采用AD102-250核心,拥有16384个CUDA核心,预计性能将比RTX 3090提升40%以上。
- RTX 5080 Ti:采用AD103-300核心,拥有10752个CUDA核心,预计性能将比RTX 3080 Ti提升30%以上。
中低端产品线缩水:
- RTX 5070:采用GB205核心,拥有8192个CUDA核心,预计性能将与RTX 3070 Ti相当。
- RTX 5060:采用GB206核心,拥有6144个CUDA核心,预计性能将与RTX 3060 Ti相当。
- RTX 5050:采用GB207核心,拥有4096个CUDA核心,预计性能将与RTX 3050 Ti相当。
**价格方面,**RTX 50系GPU预计将延续RTX 30系的定价策略。高端产品线价格依然高昂,而中低端产品线则相对亲民。
**分析人士认为,**RTX 50系GPU的发布将进一步巩固英伟在GPU市场的地位。高端产品线强劲的性能表现将吸引高端游戏玩家和专业用户,而中低端产品线则能够满足主流用户的需求。
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英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据:部分采用台积电N3B工艺,性能再升级
北京 - 2024年6月14日,据外媒报道,近日有部分型号的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器现身海关数据,其中部分采用台积电N3B工艺制造,这标志着英特尔首次在移动处理器中使用台积电的3nm工艺。
采用台积电N3B工艺,性能再突破
台积电N3B工艺是台积电3nm工艺的增强版,相比于上一代N5工艺,性能提升了10-15%,功耗降低了10-15%。这意味着采用N3B工艺的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器将拥有更强劲的性能和更长的续航能力。
Arrow Lake-U/H/HX:全方位升级
除了部分采用台积电N3B工艺之外,英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器还采用了全新的Raptor Lake架构,并整合了Xe核显。据悉,Arrow Lake-U系列处理器将拥有2-10个核心,4-20个线程,主频最高可达5.0GHz;Arrow Lake-H系列处理器将拥有6-16个核心,12-32个线程,主频最高可达5.5GHz;Arrow Lake-HX系列处理器将拥有8-16个核心,16-32个线程,主频最高可达5.7GHz。
英特尔与台积电合作,共创芯片未来
英特尔此次在Arrow Lake-U/H/HX移动处理器中采用台积电N3B工艺,标志着英特尔与台积电合作的进一步深化。两家芯片巨头的合作将有利于推动芯片技术的进步,为消费者带来更高性能、更低功耗的芯片产品。
总而言之,英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器的出现,代表了英特尔在移动处理器领域的新突破。其采用台积电N3B工艺,并拥有全新的Raptor Lake架构和Xe核显,将为用户带来更加强劲的性能和更出色的体验。
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发布于:2024-07-05 14:27:54,除非注明,否则均为
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